Correcting Systematic Energy Deficits in the Laser-pulsed Atom Probe Mass Spectrum of SiO2

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Controlling residual hydrogen gas in mass spectra during pulsed laser atom probe tomography

Residual hydrogen (H2) gas in the analysis chamber of an atom probe instrument limits the ability to measure H concentration in metals and alloys. Measuring H concentration would permit quantification of important physical phenomena, such as hydrogen embrittlement, corrosion, hydrogen trapping, and grain boundary segregation. Increased insight into the behavior of residual H2 gas on the specime...

متن کامل

the role of russia in transmission of energy from central asia and caucuses to european union

پس ازفروپاشی شوروی،رشد منابع نفت و گاز، آسیای میانه و قفقاز را در یک بازی ژئوپلتیکی انرژی قرار داده است. با در نظر گرفتن این منابع هیدروکربنی، این منطقه به یک میدانجنگ و رقابت تجاری برای بازی های ژئوپلتیکی قدرت های بزرگ جهانی تبدیل شده است. روسیه منطقه را به عنوان حیات خلوت خود تلقی نموده و علاقمند به حفظ حضورش می باشد تا همانند گذشته گاز طبیعی را به وسیله خط لوله مرکزی دریافت و به عنوان یک واس...

15 صفحه اول

Output of a pulsed atom laser

The experimental breakthrough to Bose-Einstein condensation with small numbers of atoms in magnetic traps [1] has raised much interest in the properties of mesoscopic quantum gases. Bose-Einstein condensates with atoms in a single magnetic sublevel have been studied experimentally and theoretically. The recent experimental and theoretical investigations of interference between two independent B...

متن کامل

PULSE LASER ATOM PROBE STUDY OF GaP

Gap tips prepared f ran whiskers grown by the vapour phase reaction, were analyzed using our ctmbined-type atom-probe FIM by laser pulse operation instead of high voltage pulse operation. It was found that ( 1 ) The mposition is Ga : P=l : l at cryogenic temperature 45K in vacuum of better than 1 x 10-Ptorr. ( 2 ) Much more cluster ions of phosphorus atan in laser pulse mode are detected in can...

متن کامل

Pulsed-laser atom probe tomography of p-type field effect transistors on Si- on-insulator substrates

Related Articles Characterization of enhancement-mode n-channel sulfur-treated InP MOSFET with liquid phase deposition-TiO2 gate oxide J. Vac. Sci. Technol. B 30, 052201 (2012) La2O3 gate insulators prepared by atomic layer deposition: Optimal growth conditions and MgO/La2O3 stacks for improved metal-oxide-semiconductor characteristics J. Vac. Sci. Technol. A 30, 051507 (2012) SnO2-gated AlGaN/...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Microscopy and Microanalysis

سال: 2020

ISSN: 1431-9276,1435-8115

DOI: 10.1017/s1431927620023089